半導體材料微觀結(jié)構(gòu)分析介紹

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半導體材料分析的主要手段有：SEM、FIB、TEM、HRTEM、EBSD等。FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocusedIon beam)是將離子源(大多數(shù)FIB都用Ga，也有設(shè)備具有He和Ne離子源)產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速,聚焦后作用于樣品表面。作用：

1.產(chǎn)生二次電子信號取得電子像.此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似

2.用強電流離子束對表面原子進行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工。

3.通常是以物理濺射的方式搭配化學氣體反應(yīng)，有選擇性的剝除金屬,氧化硅層或沉積金屬層。

EBSD全稱電子背散射衍射(外文名Electron Backscattered Diffraction)，EBSD的主要特點是在保留掃描電子顯微鏡的常規(guī)特點的同時進行空間分辨率亞微米級的衍射（給出結(jié)晶學的數(shù)據(jù)）。

（FIB 聚焦離子束）